SSM6J512NU,LF - MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

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Brève description
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM6J512NU,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6J512NU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Séries : U-MOSVII
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.2 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-UDFNB (2x2)
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM6 , SSM6J5

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Feuilles de données : SSM6J512NU,LF.pdf

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