K4B2G1646F-BYNB - 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Spécifications pour K4B2G1646F-BYNB
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : K4B2G1646F-BYNB
Fabricant : Samsung Semiconductor
La description : 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Séries : DDR3
Densité : 2 Gb
Org. : 128M x 16
La vitesse : 2133 Mbps
Tension : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Paquet : 96FBGA
État du produit : Mass Production
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour K4B2G1646F-BYNB
Feuilles de données : K4B2G1646F-BYNB.pdf
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