IRFB4510PBF - MOSFET N CH 100V 62A TO220AB

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MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
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Spécifications pour IRFB4510PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFB4510PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 62A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3180pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 140W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRF , IRFB4

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