MCB40P1200LB - POWER MOSFET

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POWER MOSFET
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MCB40P1200LB

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MCB40P1200LB
Fabricant : IXYS
La description : POWER MOSFET
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 9-SMD Power Module
Package d'appareils du fournisseur : SMPD
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MCB4 , MCB40P

Documents pour MCB40P1200LB

Feuilles de données : MCB40P1200LB.pdf

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