SSM6N42FE(TE85L,F) - MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6

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MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM6N42FE(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6N42FE(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 90pF @ 10V
Puissance - Max : 150mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : ES6 (1.6x1.6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM6N4 , SSM6N42FE

Documents pour SSM6N42FE(TE85L,F)

Feuilles de données : SSM6N42FE(TE85L,F).pdf

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