FDM100-0045SP - MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
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Brève description
MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDM100-0045SP
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDM100-0045SP
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
ISOPLUS i4-PAC™
Paquet / caisse :
i4-Pac™-5
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDM100-0045SP
Feuilles de données :
FDM100-0045SP.pdf
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