FDMD8530 - MOSFET 2N-CH 30V 35A

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MOSFET 2N-CH 30V 35A
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Spécifications pour FDMD8530

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDMD8530
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 30V 35A
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.25 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 149nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10395pF @ 15V
Puissance - Max : 2.2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur : Power56
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : FDMD8530.pdf

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