GT10J312(Q) - IGBT 600V 10A 60W TO220SM

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GT10J312(Q)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GT10J312(Q)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type IGBT : -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 10A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Puissance - Max : 60W
Énergie de commutation : -
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 400ns/400ns
Condition de test : 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : 200ns
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : TO-220SM
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : GT1 , GT10J

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Feuilles de données : GT10J312(Q).pdf

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