2SK1058-E - MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P

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MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
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Spécifications pour 2SK1058-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2SK1058-E
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 160V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 2SK , 2SK1

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Feuilles de données : 2SK1058-E.pdf

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