K4F2E3S4HM-MHCJ - 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Brève description
12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour K4F2E3S4HM-MHCJ
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
K4F2E3S4HM-MHCJ
Fabricant :
Samsung Semiconductor
La description :
12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Séries :
DDR3
Densité :
12 Gb
Org. :
x32
La vitesse :
3733 Mbps
Tension :
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. :
-40 ~ 105 °C
Paquet :
200FBGA
État du produit :
Mass Production
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour K4F2E3S4HM-MHCJ
Feuilles de données :
K4F2E3S4HM-MHCJ.pdf
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