APTM100SK40T1G - MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
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MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM100SK40T1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTM100SK40T1G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 357W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : SP1
Paquet / caisse : SP1
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTM100SK40T1G
Feuilles de données : APTM100SK40T1G.pdf
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