MT47H128M4CB-37E:B - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT47H128M4CB-37E:B
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT47H128M4CB-37E:B
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR2
Taille mémoire : 512Mb (128M x 4)
Fréquence d'horloge : 267MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 500ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-FBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MT47H128M4CB-37E:B
Feuilles de données : MT47H128M4CB-37E:B.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Vitramon | CAP CER 220PF 100V BP 1805. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 25KV R85. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 30KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 40KV. | ||
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