PSMN6R0-25YLB,115 - MOSFET N-CH 25V LFPAK
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 25V LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PSMN6R0-25YLB,115
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PSMN6R0-25YLB,115
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET N-CH 25V LFPAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
73A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.95V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
19.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1099pF @ 12V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
58W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse :
SC-100, SOT-669
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PSMN6R0-25YLB,115
Feuilles de données :
PSMN6R0-25YLB,115.pdf
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CAP CER 220PF 100V BP 1805. |
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