PMDT670UPE,115 - MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
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Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMDT670UPE,115
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PMDT670UPE,115
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Séries :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
550mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1.14nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
87pF @ 10V
Puissance - Max :
330mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-666
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PMDT670UPE,115
Feuilles de données :
PMDT670UPE,115.pdf
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