DMN33D8LT-7 - MOSFET N-CH 30V 0.115A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMN33D8LT-7
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 0.115A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN33D8LT-7
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMN33D8LT-7
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET N-CH 30V 0.115A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
115mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
0.55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
48pF @ 5V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
240mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-523
Paquet / caisse :
SOT-523
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMN33D8LT-7
Feuilles de données :
DMN33D8LT-7.pdf
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CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |
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CAP CER 7500PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 20KV SCREW. |
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