PSMN014-60LS,115 - MOSFET N-CH 60V QFN3333
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MOSFET N-CH 60V QFN3333
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PSMN014-60LS,115
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PSMN014-60LS,115
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 60V QFN3333
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1264pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 65W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-VDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PSMN014-60LS,115
Feuilles de données : PSMN014-60LS,115.pdf
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