DMN3016LDN-13 - MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

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MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN3016LDN-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN3016LDN-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1415pF @ 15V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : V-DFN3030-8 (Type J)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN3 , DMN301

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Feuilles de données : DMN3016LDN-13.pdf

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