FCP165N65S3 - SF3 650V 165MOHM E TO220

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SF3 650V 165MOHM E TO220
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FCP165N65S3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FCP165N65S3
Fabricant : ON Semiconductor
La description : SF3 650V 165MOHM E TO220
Séries : SuperFET® III
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.9mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 154W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FCP , FCP16

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Feuilles de données : FCP165N65S3.pdf

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