VS-10ETF02S-M3 - DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
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Brève description
DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour VS-10ETF02S-M3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : VS-10ETF02S-M3
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 10A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 200ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Température de fonctionnement - Jonction : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour VS-10ETF02S-M3
Feuilles de données : VS-10ETF02S-M3.pdf
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