SISH410DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
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MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SISH410DN-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SISH410DN-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8SH
Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8SH
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SISH410DN-T1-GE3
Feuilles de données : SISH410DN-T1-GE3.pdf
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