SI8472DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
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MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI8472DB-T2-E1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI8472DB-T2-E1
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
44 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
4-Micro Foot (1x1)
Paquet / caisse :
4-UFBGA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI8472DB-T2-E1
Feuilles de données :
SI8472DB-T2-E1.pdf
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