STL11N3LLH6 - MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT

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MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
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Spécifications pour STL11N3LLH6

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STL11N3LLH6
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Séries : DeepGATE™, STripFET™ VI
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1690pF @ 24V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : STL , STL11

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