BSC750N10NDGATMA1 - MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
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MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSC750N10NDGATMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSC750N10NDGATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 50V
Puissance - Max : 26W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSC750N10NDGATMA1
Feuilles de données : BSC750N10NDGATMA1.pdf
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