BSC750N10NDGATMA1 - MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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743305 Pieces
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Spécifications pour BSC750N10NDGATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSC750N10NDGATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 12µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 50V
Puissance - Max :
26W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TDSON-8 Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSC750N10NDGATMA1
Feuilles de données :
BSC750N10NDGATMA1.pdf
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