IPC302N20NFDX1SA1 - MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPC302N20NFDX1SA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPC302N20NFDX1SA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Sawn on foil
Paquet / caisse : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPC30 , IPC302N2

Documents pour IPC302N20NFDX1SA1

Feuilles de données : IPC302N20NFDX1SA1.pdf

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