FDB5690 - MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Référence fabricant

FDB5690

Numéro de pièce interne

AX-FDB5690

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDB5690

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDB5690

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 32A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1120pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 58W (Tc)

Température de fonctionnement : -65°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDB

Documents pour FDB5690

Feuilles de données : FDB5690.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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