APTM20UM03FAG - MOSFET N-CH 200V 580A SP6
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MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM20UM03FAG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTM20UM03FAG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Séries : POWER MOS 7®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 580A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 290A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 15mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 840nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 43300pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2270W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : SP6
Paquet / caisse : SP6
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTM20UM03FAG
Feuilles de données : APTM20UM03FAG.pdf
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