PMXB56ENZ - MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMXB56ENZ
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMXB56ENZ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMXB56ENZ
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 209pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN1010D-3
Paquet / caisse : 3-XDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMXB56ENZ
Feuilles de données : PMXB56ENZ.pdf
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