DMG4N60SK3-13 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T

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MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMG4N60SK3-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG4N60SK3-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET BVDSS 501V 650V TO252 T
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 532pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 48W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMG4 , DMG4N6

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Feuilles de données : DMG4N60SK3-13.pdf

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