TK22A10N1,S4X - MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK22A10N1,S4X
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK22A10N1,S4X
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Séries :
U-MOSVIII-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
30W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220SIS
Paquet / caisse :
TO-220-3 Full Pack
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK22A10N1,S4X
Feuilles de données :
TK22A10N1,S4X.pdf
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