IS43DR16640B-3DBI - IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS43DR16640B-3DBI
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS43DR16640B-3DBI
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR2
Taille mémoire : 1Gb (64M x 16)
Fréquence d'horloge : 333MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 450ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 84-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 84-TWBGA (8x12.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS43DR16640B-3DBI
Feuilles de données : IS43DR16640B-3DBI.pdf
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