BUK9M156-100EX - MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
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MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
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Spécifications pour BUK9M156-100EX
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BUK9M156-100EX
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.4nC @ 5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 695pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 36W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK33
Paquet / caisse : SOT-1210, 8-LFPAK33
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BUK9M156-100EX
Feuilles de données : BUK9M156-100EX.pdf
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