EPC2033 - GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2033
Fabricant
Brève description
GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
95770 Pieces
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Spécifications pour EPC2033
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2033
Fabricant : EPC
La description : GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 9mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1140pF @ 75V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Die
Paquet / caisse : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour EPC2033
Feuilles de données : EPC2033.pdf
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