LSIC1MO170E1000 - MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L

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MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
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Spécifications pour LSIC1MO170E1000

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : LSIC1MO170E1000
Fabricant : Littelfuse Inc.
La description : MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 20V
Vgs (Max) : +22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 1000V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 54W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3L
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : LSIC1 , LSIC1MO

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Feuilles de données : LSIC1MO170E1000.pdf

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