BSG0810NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
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MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSG0810NDIATMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSG0810NDIATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A, 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1040pF @ 12V
Puissance - Max : 2.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 155°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : PG-TISON-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSG0810NDIATMA1
Feuilles de données : BSG0810NDIATMA1.pdf
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