IXFJ20N85X - MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

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MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
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Spécifications pour IXFJ20N85X

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFJ20N85X
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 850V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1660pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 110W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : ISO TO-247-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXF , IXFJ2

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Feuilles de données : IXFJ20N85X.pdf

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