SI6968BEDQ-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
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MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
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Spécifications pour SI6968BEDQ-T1-E3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI6968BEDQ-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI6968BEDQ-T1-E3
Feuilles de données : SI6968BEDQ-T1-E3.pdf
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