SIHB6N65E-GE3 - MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIHB6N65E-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIHB6N65E-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
78W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D²PAK (TO-263)
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIHB6N65E-GE3
Feuilles de données :
SIHB6N65E-GE3.pdf
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CAP CER 25PF 30KV. |
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CAP CER 1000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 220PF 100V BP 1805. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 25KV R85. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 3000PF 50V BP 1210. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 3000PF 10KV. |
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CAP CER 50PF 30KV AXIAL. |
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