2SK2883(TE24L,Q) - MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 2SK2883(TE24L,Q)
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
2SK2883(TE24L,Q)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
75W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220SM
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 2SK2883(TE24L,Q)
Feuilles de données :
2SK2883(TE24L,Q).pdf
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