2N6800U - MOSFET N-CH 400V 18LCC

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MOSFET N-CH 400V 18LCC
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Spécifications pour 2N6800U

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2N6800U
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 400V 18LCC
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 400V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.75nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 18-ULCC (9.14x7.49)
Paquet / caisse : 18-CLCC
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : 2N6800U.pdf

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