NTLJD3115PT1G - MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

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MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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Spécifications pour NTLJD3115PT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTLJD3115PT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 531pF @ 10V
Puissance - Max : 710mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-WDFN (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NTLJ , NTLJD3

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