NTLJD3115PT1G - MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTLJD3115PT1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NTLJD3115PT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
531pF @ 10V
Puissance - Max :
710mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
6-WDFN (2x2)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NTLJD3115PT1G
Feuilles de données :
NTLJD3115PT1G.pdf
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