RJM0603JSC-00#13 - MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

Référence fabricant
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MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
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Spécifications pour RJM0603JSC-00#13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RJM0603JSC-00#13
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 10V
Puissance - Max : 54W
Température de fonctionnement : 175°C
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 20-HSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RJM06 , RJM0603J

Documents pour RJM0603JSC-00#13

Feuilles de données : RJM0603JSC-00#13.pdf

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