IRF8308MTRPBF - MOSFET N-CH 30V 27A MX
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MOSFET N-CH 30V 27A MX
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF8308MTRPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF8308MTRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 27A MX
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 27A (Ta), 150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4404pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MX
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MX
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRF8308MTRPBF
Feuilles de données : IRF8308MTRPBF.pdf
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