IPB100N10S305ATMA1 - MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Référence fabricant

IPB100N10S305ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPB100N10S305ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPB100N10S305ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPB100N10S305ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 240µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 176nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 11570pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPB100 , IPB100N10

Documents pour IPB100N10S305ATMA1

Feuilles de données : IPB100N10S305ATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
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