DS1250AB-70IND+ - IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
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Brève description
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DS1250AB-70IND+
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DS1250AB-70IND+
Fabricant : Maxim Integrated
La description : IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : NVSRAM
La technologie : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille mémoire : 4Mb (512K x 8)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 70ns
Temps d'accès : 70ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 4.75V ~ 5.25V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Package d'appareils du fournisseur : 32-EDIP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DS1250AB-70IND+
Feuilles de données : DS1250AB-70IND+.pdf
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