FDB0190N807L - MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

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MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
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Spécifications pour FDB0190N807L

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDB0190N807L
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 270A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 249nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 19110pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263)
Paquet / caisse : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDB0 , FDB019

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Feuilles de données : FDB0190N807L.pdf

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