SIA950DJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIA950DJ-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIA950DJ-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Séries :
LITTLE FOOT®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
190V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
90pF @ 100V
Puissance - Max :
7W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIA950DJ-T1-GE3
Feuilles de données :
SIA950DJ-T1-GE3.pdf
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