W987D6HBGX6E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour W987D6HBGX6E TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : W987D6HBGX6E TR
Fabricant : Winbond Electronics
La description : IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPSDR
Taille mémoire : 128Mb (8M x 16)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 5.4ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 54-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 54-VFBGA (8x9)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour W987D6HBGX6E TR
Feuilles de données : W987D6HBGX6E TR.pdf
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