IXFX360N10T - MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFX360N10T
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXFX360N10T
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFX360N10T
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
Séries : GigaMOS™ HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 360A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 525nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 33000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1250W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PLUS247™-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXFX360N10T
Feuilles de données : IXFX360N10T.pdf
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