SI8405DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP

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MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
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Spécifications pour SI8405DB-T1-E1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI8405DB-T1-E1
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.47W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-Microfoot
Paquet / caisse : 4-XFBGA, CSPBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SI84 , SI8405D

Documents pour SI8405DB-T1-E1

Feuilles de données : SI8405DB-T1-E1.pdf

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