AS4C64M8D1-5BCN - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
157910 Pieces
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Spécifications pour AS4C64M8D1-5BCN
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AS4C64M8D1-5BCN
Fabricant :
Alliance Memory, Inc.
La description :
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR
Taille mémoire :
512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge :
200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
700ps
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
60-FBGA (8x13)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AS4C64M8D1-5BCN
Feuilles de données :
AS4C64M8D1-5BCN.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. |
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CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 2500PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 7500PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 3000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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