AS4C64M8D1-5BCN - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C64M8D1-5BCN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C64M8D1-5BCN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 700ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (8x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C64M8D1-5BCN
Feuilles de données : AS4C64M8D1-5BCN.pdf
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